英國(guó)Mantis NanoSys500,NanoGen50納米團(tuán)簇沉積(Nanocluster Deposition)設(shè)
價(jià) 格：詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地：英國(guó)更新時(shí)間：2020-09-23 15:11
品 牌：Mantis Deposition型 號(hào)：NanoSys500,NanoGen50
狀 態(tài)：正常點(diǎn)擊量：1386
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納米團(tuán)簇沉積(Nanocluster Deposition)簡(jiǎn)介：
英***Mantis公司是***個(gè)生產(chǎn)高質(zhì)量沉積設(shè)備與部件的高科技公司，主要產(chǎn)品有：納米團(tuán)簇沉積源和系統(tǒng)，射頻原子源和射頻離子源，電子束蒸發(fā)和熱氣裂解器。超高真空的沉積系統(tǒng)采用通用設(shè)計(jì)，便于以后的升***。納米團(tuán)簇沉積設(shè)備可制備常規(guī)鍍膜設(shè)備無(wú)法實(shí)現(xiàn)的納米尺寸薄膜。克努森池、電子束蒸發(fā)臺(tái)、熱氣裂解器與小離子和原子源可用于分子束外延、表面科學(xué)與物理氣相沉積的極小尺度研究。175mm射頻原子源或130mm射頻離子源可以處理8”以上的襯底。
納米團(tuán)簇源和沉積系統(tǒng)：
Mantis公司提供納米粒子的沉積和表征設(shè)備，可產(chǎn)生幾乎任何元素或合金材料的粒徑可選的精確納米粒子束。另外，產(chǎn)生的反應(yīng)粒子可以沉積氧化物和氮化物的納米團(tuán)簇。公司還可為客戶(hù)將現(xiàn)有的納米粒子薄膜生長(zhǎng)的真空腔或整個(gè)系統(tǒng)升***。
NanoGen50納米團(tuán)簇源
NanoGen50納米團(tuán)簇源使用獨(dú)特的高壓濺射源，可在結(jié)露區(qū)(condensation zone)沉積納米顆粒。結(jié)露區(qū)內(nèi)氣流的特點(diǎn)確保束流尺寸分布的精確控制，使出射線束內(nèi)的粒度保持高精確度。結(jié)露區(qū)獨(dú)特的結(jié)構(gòu)使納米粒子與進(jìn)入主沉積腔室載氣的比例***大化。公司還可提供控制不同精度的源以適合于特殊的應(yīng)用?？梢援a(chǎn)生小至30個(gè)原子大至半徑15nm的納米顆粒。
Nanogen源產(chǎn)生高比例的離化納米粒子（可達(dá)40%）。在通常的運(yùn)行條件下，產(chǎn)生的中性和離子化的粒子具有很低的動(dòng)能，確保了粒子在隨后的沉積中軟著陸而保持原有的晶體結(jié)構(gòu)。高度離子化使客戶(hù)可以靜電化處理大部分的粒子束，也可以加速離子化粒子到偏置表面，這樣的加速粒子束可用于在室溫下難以沉積的材料上如未處理的聚四氟乙烯和玻璃上產(chǎn)生高度粘附的薄膜。
MesoQ質(zhì)譜過(guò)濾器
在NanoGen-50上可以裝配MesoQ四極質(zhì)譜濾波器，在線分析和進(jìn)***步過(guò)濾106原子質(zhì)量單位的納米粒子束。過(guò)濾模式中四極質(zhì)譜具有優(yōu)于2%的極限粒徑分辨率，可達(dá)到精確的粒徑準(zhǔn)確度。與Nanogen源合用時(shí)，當(dāng)高比例粒子束被自然離化的時(shí)候，MesoQ在過(guò)濾模式中具有很高的濾過(guò)量。
NanoSys 500納米團(tuán)簇沉積設(shè)備
Mantis公司提供與超高真空兼容的沉積系統(tǒng)提出全套完整的納米粒子沉積的解決方法?？蛻?hù)可選用標(biāo)準(zhǔn)的系統(tǒng)，也可根據(jù)特殊的需要定制系統(tǒng)。NanoGen納米粒子源處于在系統(tǒng)的核心處，源的位置和副腔是經(jīng)過(guò)特殊設(shè)計(jì)來(lái)***大化操縱這個(gè)源。標(biāo)準(zhǔn)的樣品操縱器具有加熱樣品，偏離和旋轉(zhuǎn)2英寸樣品的特點(diǎn)。系統(tǒng)還預(yù)留多個(gè)窗口用于今后附加的沉積源，如用于薄膜結(jié)構(gòu)或器件的納米粒子的矩陣封裝，視窗和操作進(jìn)樣所需的裝片鎖。
電子束蒸發(fā)器：
迷你型電子束蒸發(fā)器可進(jìn)行難熔金屬或高溫陶瓷薄膜沉積，可以在***小束流的情況下***大控制蒸發(fā)速度，***重要的是對(duì)于敏感的應(yīng)用領(lǐng)域如表面科學(xué)或薄膜摻雜，可以減小蒸汽的污染。
RF離子源：
加速離子束用于在真空條件下改性和刻蝕表面，通過(guò)選擇離子束的能量和組成，可明顯改善生長(zhǎng)薄膜的性質(zhì)如薄膜密度和化學(xué)組成等。離子束還可以用于刻蝕已有的薄膜或者濺射靶材在襯底上沉積薄膜，由于濺射的材料具有加速動(dòng)能，所生成的薄膜具有非常好的性能。
RF原子源：
RF原子源可用于許多氧化物或氮化物半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)，如GaN、GaInNAs、超薄Al2O3和高電介質(zhì)常數(shù)材料，也可以應(yīng)用于數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，催化劑薄膜和使用原子氫進(jìn)行表面清洗。
滬公網(wǎng)安備31011502016460號(hào)
