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等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）

美***NANOMASTER公司PECVD(等離子增強化學氣相沉積)系統(tǒng)能夠沉積高質(zhì)量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、類金剛石薄膜、硬質(zhì)薄膜、光學薄膜等。可選用射頻（RF）、空陰極高密度等離子體(HCD)源、感應(yīng)耦合等離子體（ICP）源。該公司采用先進技術(shù)和穩(wěn)定可靠的設(shè)計為您提供多方位的服務(wù)。

等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）

1)   平板尺寸：8”

2)   源直徑：5”或8”

3)   氣體輸入管數(shù)量：4（兩個反應(yīng)氣，一個載氣，一個排空管）

4)   源距平板的距離：2”或者可調(diào)

5)   真空：低于E-7Torr，200L/sec渦輪分子泵及3.5cfm機械泵組合

6)   最大平板溫度：800℃

7)   射頻電源供應(yīng)：600W，13.5MHz

8)   射頻偏壓：300W，13.5MHz

產(chǎn)品型號：

NPE-3000 桌面型PECVD系統(tǒng)

NPE-4000 立式型PECVD系統(tǒng)

等離子增強化學氣相沉積系統(tǒng)（PECVD）

應(yīng)用領(lǐng)域：

1.        等離子誘導(dǎo)表面改性

2.        等離子清洗（NF3）

3.        反應(yīng)離子蝕刻

4.        等離子體聚合

5.        PECVD沉積SiO2、Si3N4、類金剛石、硬質(zhì)薄膜等