SEMILAB-SE2000 全光譜橢偏測(cè)試平臺(tái)
價(jià) 格：詢(xún)價(jià)
產(chǎn) 地：更新時(shí)間：2021-01-18 16:44
品 牌：型 號(hào)：SEMILAB-SE2000 全光譜橢偏測(cè)試平臺(tái)
狀 態(tài)：正常點(diǎn)擊量：1203
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SEMILAB-SE2000 全光譜橢偏測(cè)試平臺(tái)
(Spectroscopic Ellipsometer Metrology Station)
產(chǎn)品描述
| SE2000全光譜橢偏測(cè)試平臺(tái)基于橢圓偏振測(cè)試技術(shù)，采用的旋轉(zhuǎn)補(bǔ)償器，結(jié)合光纖專(zhuān)li技術(shù)將偏振光信號(hào)傳輸至分段光譜優(yōu)化的高分辨率單色儀或陣列式多通道攝譜儀，測(cè)得線(xiàn)偏振光經(jīng)過(guò)樣品反射后的偏振態(tài)變化情況，并通過(guò)樣品光學(xué)模型的建立，計(jì)算出單層或多層薄膜結(jié)構(gòu)的厚度、折射率和消光系數(shù)，實(shí)現(xiàn)精確、快速、穩(wěn)定的寬光譜橢偏測(cè)試。 |
| SE2000全光譜橢偏測(cè)試平臺(tái)是Semilab針對(duì)產(chǎn)線(xiàn)和實(shí)驗(yàn)線(xiàn)推出的多功能高速測(cè)試平臺(tái)。模塊化的設(shè)計(jì)，可選配300mm樣品臺(tái)或350*450mm平板樣品臺(tái)，Robot上片系統(tǒng)，圖形識(shí)別系統(tǒng)和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)高速在線(xiàn)監(jiān)控。在測(cè)試功能方面，可自由組合多種從190nm深紫外光譜至2400nm近紅外光譜的探測(cè)器，并可拓展FTIR紅外光譜測(cè)試模組、渦電流法非接觸式或4PP接觸式方塊電阻測(cè)試模組、Mueller Matrix各項(xiàng)異性材料測(cè)試模組、Raman結(jié)晶率測(cè)試模組、電子遷移率表征模組、LBIC光誘導(dǎo)電流測(cè)試模組、反射干涉測(cè)試模組等多種功能，使SE2000成為光學(xué)和電學(xué)特性表征綜合測(cè)試系統(tǒng)。 |
產(chǎn)品特點(diǎn)
| 業(yè)界第yi***光譜型橢偏儀測(cè)試設(shè)備廠(chǎng)商 |
| 業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試機(jī)構(gòu)定標(biāo)設(shè)備，參與發(fā)布中華人民共和***橢圓偏振測(cè)試技術(shù)標(biāo)準(zhǔn) |
| 業(yè)界*寬測(cè)試光譜范圍，選配190nm-25um，并可自動(dòng)切換快速探測(cè)模式和高精度探測(cè)模式 |
| 配置實(shí)時(shí)對(duì)焦傳感器，實(shí)現(xiàn)高速測(cè)量 |
| 選配Robot上片系統(tǒng)，圖形識(shí)別系統(tǒng)和數(shù)據(jù)通信系統(tǒng)，實(shí)現(xiàn)在線(xiàn)監(jiān)控 |
| 獨(dú)特的樣品臺(tái)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，優(yōu)化固定大尺寸的柔性材料 |
| 模塊化設(shè)計(jì)，可綜合監(jiān)控樣品光學(xué)和電學(xué)特性 |
| 定期免費(fèi)升***SOPRA材料數(shù)據(jù)庫(kù) |
| 開(kāi)放光學(xué)模型擬合分析過(guò)程，方便用戶(hù)優(yōu)化測(cè)試菜單 |
主要應(yīng)用
| 光伏行業(yè)：薄膜電池透明導(dǎo)電膜、非晶硅微晶硅薄膜電池、CIGS薄膜電池、CdTe薄膜電池、有機(jī)電池、染劑敏感太陽(yáng)能電池 |
| 半導(dǎo)體行業(yè)：High-K、Low-K、金屬、光刻工藝、半導(dǎo)體鍍膜工藝、外延工藝 |
| 平板顯示行業(yè)：TFT、OLED、LTPS、IGZO、彩色濾光片 |
| 光電行業(yè)：光波導(dǎo)、減反膜、III-V族器件、MEMS、溶膠凝膠 |
主要技術(shù)指標(biāo)
| 測(cè)試速度：＜1 sec （快速測(cè)試模式）
＜120 sec （高分辨率測(cè)試模式） |
| 測(cè)量光譜分辨率：＜0.5nm@633nm （高分辨率測(cè)試模式）
＜0.8nm@633nm （快速測(cè)試模式） |
| 樣品尺寸： 300mm |
| 厚度測(cè)量范圍：0.01nm-50um |
| 厚度測(cè)試精度：0.02nm @120nm SiO2 on Si |
| 折射率測(cè)試精度：0.002 @120nm SiO2 on Si |
滬公網(wǎng)安備31011502016460號(hào)
