德國 Sentech 等離子體增強--原子層沉積系統(tǒng)
價 格：詢價
產 地：更新時間：2021-01-19 15:36
品 牌：型 號：PE-ALD
狀 態(tài)：正常點擊量：2019
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| Sentech PE-ALD 等離子體增強原子層沉積
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| 詳細介紹 |
| PE-ALD 等離子體增強原子層沉積
原子層沉積（ALD）是在3D結構上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法。薄膜厚度和特性的精確控制通過在工藝循環(huán)過程中在真空腔室分步加入前置物實現(xiàn)。等離子增強原子層沉積（PEALD）是用等離子化的氣態(tài)原子替代水作為氧化物來增強ALD性能的方法。
SENTECH基于多年研發(fā)制造PECVD和ICPECVD的經驗，包括專有的PTSA技術，推出***臺PEALD設備。新的ALD設備應用SENTECH橢偏儀，使熱輔助和等離子輔助的操作和沉積過程都能得到監(jiān)控。
SENTECH使用激光橢偏儀和寬量程分光橢偏儀的前沿技術——超快在線橢偏儀來監(jiān)控逐層膜生長。
***臺PEALD設備已經在布倫瑞克科技大學（TU Braunschweig）投入使用，用于生長超高均勻性和密度的氧化膜，如Al2O3和ZnO等。
在Al2O3沉積過程中，三甲基鋁（TMA）等離子產生的氧原子反應，襯底溫度為80到200℃。PEALD薄膜厚度均勻性高、折射率變化小的特點。
下圖是ALD與PEALD的沉積結果對比 
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