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低溫和高溫真空探針臺(tái)

CINDBEST真空環(huán)境高低溫測(cè)試技術(shù)

以下兩個(gè)應(yīng)用需要真空測(cè)試環(huán)境。

極低溫測(cè)試:

因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過大或者探針無法接觸電極而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

高溫?zé)o氧化測(cè)試：

當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。 

晶圓測(cè)試過程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件電極間會(huì)有相對(duì)位移，這時(shí)需要針座的重新定位，CINDBEST針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來調(diào)整探針的位置。

溫控規(guī)格:  

控溫范圍4K-480K控溫精度0.1K溫度穩(wěn)定性4 K        + - 0.2 K 77 K     + - 0.1 K 373 K    + - 0.08 K 473 K       + - 0.1 K 823 K       + - 0.2 K(可選) 973 K    + - 1.0K(可選)常溫到8K冷卻時(shí)間:1小時(shí)40分鐘8K到常溫升溫時(shí)間:1小時(shí)30分鐘 從常溫開始的升溫時(shí)間          200 ℃     550℃     700 ℃ (4 chuck，單位分：秒)1:00         1:30         2:00電源直流材質(zhì)不銹鋼功率(4chuck) 850W

機(jī)械規(guī)格                               

 針座行程 X軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm  Y軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm  Z軸方向25.4mm(1 inch) 可以選擇50.8mm 移動(dòng)精度  X軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron Y軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron Z軸方向10 micron 可以選擇0.35,0.7,5,10 or 20 micron 探針可旋轉(zhuǎn)角度+-5 度  

光學(xué)部件規(guī)格

顯微鏡X-Y軸方向行程2"*2" 可以選擇4"*4"總共放大倍率240X 可以選擇更高倍率真空腔觀察窗口2 inch 外部石英材質(zhì)99%紅外線穿過率 內(nèi)部吸收紅外線僅可見光通過光源150W可連續(xù)調(diào)節(jié)雙光纖導(dǎo)引

可選附件：

防震桌

方形chuck

分子泵組

射頻部件

Chuck可外部移動(dòng)裝置

客戶定制。